变压器介质损耗因数的测量方法

　　一、测试目的

　　试验实践表明，测量介质损耗因数tanθ是判断31.5MVA以下变压器绝缘状态较为有效的方法，多年来一直是变压器绝缘的预防性试验项目之一。修正试验主要用于检查变压器的整体受潮情况、油质变差、绕组上有无油泥附着及严重的局部缺陷等。tanθ的测量结果往往受表面泄漏和外界条件（如干扰电场和大气条件）的影响。测量介质损耗角的正切值是指测量绕组和管套仪器的tanθ，但为了提高测量精度和检测缺陷的灵敏度，如有必要，可以进行分解测试以确定缺陷的位置。近年来，由于我国单台变压器容量的增加，通过测量tanθ检测局部缺陷的概率逐渐降低。

　　二、测试方法

　　由于变压器外壳直接接地，测量时常采用反接线法。对于双绕组和三绕组变压器，测量位置如下表所示。投产前，对下表所列各项进行测试。三绕组至少测量四项，以便在运行后进行分析和比较。

　　投运时，双绕组变压器只测1、2，三绕组变压器只测1、2、3。当有明显变化时，以上各项均可测。通过计算，找出具体的薄弱环节。用锡林桥法测量变压器的tanθ值时，应将被测绕组和非被测绕组对地短路。

　　用M型介电测试仪测量

　　使用M型介电测试仪测量双绕组和三绕组变压器的tanθ。测量位置如下表所示。

　　测量时，M型介电测试仪的测试电压为2500V。

　　测量计算结果

　　在双绕组变压器中，测试2直接测量高压对地tanθ，测试4直接测量低压对地tanθ。将实验1得到的毫伏安数减去实验1得到的毫伏安数的差值除以实验1的毫瓦数减去实验2的毫瓦数，得到高压和低压的tanθ。.同理，测试3减测试4的结果与测试1减测试2的结果一致。

　　在三绕组变压器中，测试2、4和6可以直接测量高压、低压和中压对地的tanθ。将实验1的毫伏安值与数值实验2的毫伏安值之差除以实验1毫瓦减去实验2毫瓦之差，得到高压和低压之间的tanθ。同理可求出低压、中压和高压之间的tanθ。